[0003] 本发明涉及一种光学设备，和一种用于测量光刻设备中的具有用于曝光至辐射的表面的反射型光学元件的劣化的方法。

[0004] 光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于(例如)集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以(例如)将图案形成装置(例如，掩模)处的图案投影至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

[0005] 为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小大小。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有介于4nm至20nm范围内的波长(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。

[0006] 在使用中，所述图案形成装置的操作可以由于例如被沉积于所述图案形成装置的表面上的残渣的积聚随时间变得劣化。

[0007] 在一些示例中，在本领域中通常称为“基准件”的光学元件可以被设置成相对紧邻于所述图案形成装置。类似于所述图案形成装置，基准件的操作也可以随时间变得劣化。

[0008] 所述光学元件可以被用于朝向传感器反射辐射。另外的光学元件也可以被用于使辐射反射朝向传感器，由此提供参考。如此，可以确定所述光学元件的操作相对于所述另外的光学元件的劣化程度。这种情形可以指示所述图案形成装置的操作的劣化。

[0009] 响应于所确定的劣化，可以校正被投影朝向所述图案形成装置的电磁辐射的剂量和/或分布。

[0010] 然而，在使用中，所述另外的光学元件(例如参考)的操作也可以被劣化达到至少某一程度。即，所述参考不可以作为恒定参考进行操作，从而导致对所述光学元件相对于所述另外的光学元件的操作的劣化的测量的漂移。

[0011] 因此，期望提供一种可靠构件以确定所述图案形成装置的操作中的任一劣化，使得朝向图案形成装置而被投影的电磁辐射的剂量和/或分布因此可以被校正。

[0012] 因此，本公开的至少一个方面的至少一个实施例的目标是消除或至少减轻现有技术的以上所识别的缺点中的至少一个缺点。

[0051] 图1示出包括辐射源SO和光刻设备LA的光刻系统。辐射源SO被配置成产生EUV辐射束B和将EUV辐射束B供应给光刻设备LA。光刻设备LA包括照射系统IL，配置成支撑图案形成装置MA(例如，掩模)的支撑结构MT，投影系统PS，以及配置成支撑衬底W的衬底台WT。

[0052] 照射系统IL被配置成在EUV辐射束B入射到图案形成装置MA上之前调节EUV辐射束B。另外，照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11共同提供具有期望的横截面形状和期望的强度分布的EUV辐射束B。除琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11以外或代替所述装置，照射系统IL也可以包括其它反射镜或装置。

[0053] 在如此调节之后，EUV辐射束B与图案形成装置MA相互作用。由于这种相互作用，产生经图案化的EUV辐射束B'。投影系统PS被配置成将经图案化的EUV辐射束B'投影至衬底W上。为了所述目的，投影系统PS可以包括配置成将经图案化的EUV辐射束B'投影至由衬底台WT保持的衬底W上的多个反射镜13、14。投影系统PS可以将减小因子应用于经图案化的EUV辐射束B'，因此形成具有小于图案形成装置MA上的相应的特征的特征的图像。例如，可以应用减小因子4或8。虽然投影系统PS被图示是在图1中仅具有两个反射镜13、14，但投影系统PS可以包括不同数目个反射镜(例如，六个或八个反射镜)。

[0054] 衬底W可以包括先前形成的图案。在这样的情况下，光刻设备LA使由经图案化的EUV辐射束B'形成的图像与先前形成在衬底W上的图案对准。

[0055] 可以在辐射源SO中、在照射系统IL中和/或在投影系统PS中提供相对真空，即，处于充分地低于大气压力的压力下的少量气体(例如，氢气)。

[0056] 图1中示出的辐射源SO属于例如可以被称为激光产生等离子体(LPP)源的类型。可以例如包括CO2激光器的激光系统1被布置成经由激光束2将能量沉积至从例如燃料发射器3提供的诸如锡(Sn)之类的燃料中。虽然在以下描述中提及锡，但可以使用任何合适的燃料。燃料可以例如呈液体形式，并且可以例如是金属或合金。燃料发射器3可以包括配置成沿朝向等离子体形成区4的轨道引导例如呈小滴形式的锡的喷嘴。激光束2在等离子体形成区4处入射到锡上。激光能量沉积至锡中会在等离子体形成区4处产生锡等离子体7。包括EUV辐射的辐射在电子与等离子体的离子的去激发和重组期间从等离子体7发射。

[0057] 由收集器5收集且聚焦来自等离子体的EUV辐射。收集器5包括例如近正入射辐射收集器5(有时更一般称为正入射辐射收集器)。收集器5可以具有布置成反射EUV辐射(例如，具有诸如13.5nm的期望的波长的EVU辐射)的多层反射镜结构。收集器5可以具有椭球形配置，所述椭球形配置具有两个焦点。如下文所描述的，所述焦点中的第一个可以处于等离子体形成区4，并且所述焦点中的第二个可以处于中间焦点6。

[0058] 激光系统1可以在空间上与辐射源SO分离。在这样的情况下，激光束2可以借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器和/或其它光学器件的束传递系统(未示出)而从激光系统1传递至辐射源SO。激光系统1、辐射源SO和束传递系统可以共同地被视为辐射系统。

[0059] 由收集器5反射的辐射形成EUV辐射束B。EUV辐射束B聚焦于中间焦点6处，以在存在于等离子体形成区4处的等离子体的中间焦点6处形成图像。中间焦点6处的图像用作用于照射系统IL的虚拟辐射源。辐射源SO被布置使得中间焦点6位于辐射源SO的围封结构9中的开口8处或附近。

[0060] 虽然图1将辐射源SO描绘为激光产生等离子体(LPP)源，但诸如放电产生等离子体(DPP)源或自由电子激光(FEL)之类的任何合适的源可以用于产生EUV辐射。

[0061] 如上文所描述的，在本领域中通常被称为“基准件”的光学元件可以被设置成相对紧邻于所述图案形成装置MA。在一些示例中，这种光学元件可以被安装在支撑结构MT上或嵌入在支撑结构MT中。

[0062] 所述光学元件可以被用于使朝向传感器395反射辐射，用于确定所述光学元件相对于参考的反射率的劣化的程度。图2描绘这种光学元件的横截面。

[0063] 图2的光学元件205被形成为适于反射EUV辐射的分布式布拉格(Bragg)反射器。即，所述光学元件205包括衬底210，在所述衬底210上形成包括交错或变化的折射率材料的多个层的叠层。示例光学元件205包括多个交错的硅层215a至215d和钼层220a至220d。

[0064] 也描绘为了示例目的而由钌形成的覆盖层225。覆盖层225可以保护基础硅层215a至215d和钼层220a至220d不受活性氧和羟基自由基影响。

[0065] 如上文所描述的，在现有技术光刻设备中，可以相对于参考光学元件来确定光学元件205的反射率的劣化，其中，所确定的劣化可以指示所述图案形成装置MA的反射率的劣化。然而，所述参考光学元件(其可以具有与光学元件205大致相同的分层结构)也可以经受劣化，并且因此可能无法提供稳定参考。

[0066] 现转而参考图3，描绘了根据本公开的实施例的用于光刻设备LA的掩模版平台(例如支撑结构MT)的光学设备300的横截面。

[0067] 所述光学设备300包括反射型光学元件305，所述反射型光学元件305包括用于曝光至辐射的表面340。类似于示例光学元件205，所述反射型光学元件305被形成为适于反射EUV辐射的分布式布拉格(Bragg)反射器。为了示例的目的，所述反射型光学元件305包括衬底310和多个交错的硅层315a至315d和钼层320a至320d、以及钌覆盖层325。在本公开的其它实施例中，可以实施其它材料。

[0068] 所述反射型光学元件305可以被安装在所述光刻设备的掩模版平台(例如，支撑结构MT)上或嵌入在所述掩模版平台中。所述反射型光学元件305可以被配置成朝向辐射传感器395反射辐射。这样的辐射传感器395可以例如被设置在待图案化的衬底处或附近，诸如衬底台WT上。

[0069] 第一电极330和第二电极335位于表面340处。虽然描绘仅两个电极330、335，但在其它实施例中，可以实施多于两个电极，如参考图5、图8和图10的示例在下文更详细地描述的。

[0070] 第一电极330通过绝缘材料的第一部分345与覆盖层325电隔离。第二电极335通过绝缘材料的第二部分350与覆盖层325电隔离。绝缘材料的所述第一部分345和绝缘材料的所述第二部分350可以由单个绝缘材料层形成。

[0071] 也描绘测量系统355。所述测量系统355被配置成测量所述第一电极330与所述第二电极335之间的反射型光学元件305的一个或更多个电特性。即，所述测量系统355导电联接至所述第一电极330和所述第二电极335。

[0072] 例如，所述测量系统355可以被配置成测量第一电极330与第二电极335之间的所述反射型光学元件305的电容、电阻或电感中的任一个或全部。在一些示例中，测量系统355可以被配置成测量第一电极330与第二电极335之间的所述反射型光学元件305的频率响应和/或脉冲响应。

[0073] 在一些实施例中，所述测量系统355可以相对靠近于所述光学元件305，例如在掩模版平台处或附近定位。在其它实施例中，所述测量系统355可以远离所述光学元件305。在又一其它实施例中，所述测量系统355中的一些或全部可以包括分布式装置或网络连接装置。

[0074] 所述光学设备300的操作现参考图4进行描述，图4描绘图3的光学设备300的一系列横截面，从而示出表面340上经过一段时间的碳积聚。

[0075] 在图4的示例中，测量系统355被配置成确定第一电极330与第二电极335之间的电阻。在第一时间405处，例如，就在光刻设备的掩模版平台上初始安设光学元件305之后不久，在光学元件的表面340上没有沉积碳(或沉积可忽略量的碳)。如此，在第一电极330与第二电极335之间存在导电路径。因而，所述测量系统355检测第一电极330与第二电极335之间的高电阻，例如不存在电流或存在可忽略的电流，如由欧姆计显示器450所指示的。

[0076] 在第二时间410，例如，在第一时间405之后，薄碳层455已积聚在所述光学元件305的表面340上。

[0077] 即，在使用EUV光刻设备LA的示例中，可能存在一些气化烃(vaporised hydrocarbon)，所述气化烃可以在光学元件305的表面340形成烃层。由EUV辐射照射烃层可以有效地使层碳化，从而燃烧掉任一氧原子且在光学元件305的表面340上留下碳“烟灰”层。这种碳烟灰，例如碳层455a，可以减小光学元件305的反射率。

[0078] 虽然在以上示例中描述碳层，但应了解，其它元素和化学品可以在光学元件305的表面340上另外或替代地形成这种层。

[0079] 应理解，对于被配置成测量第一电极330与第二电极335之间的反射型光学元件305的一个或更多个电特性的测量系统的参考也指可以被形成在反射型光学元件305上的任何层，例如上述碳层455。

[0080] 在第二时间410，薄碳层455a在第一电极330与第二电极335之间形成导电路径。如此，所述测量系统355相较于第一时间405在第二时间410处检测到较低电阻，如由欧姆计显示器450所指示的。

[0081] 在第三时间415，例如，在第二时间410之后，较厚碳层455b已积聚在所述光学元件305的表面340上。如此，所述测量系统355相较于第二时间410在第三时间415处检测到甚至更低的电阻，如由欧姆计显示器450所指示的。

[0082] 在第四时间420，例如，在第三时间415之后，甚至更厚的碳层455c已积聚在所述光学元件305的表面340上。如此，所述测量系统355在第四时间420处检测到与第三时间415相比甚至更低的电阻，如由欧姆计显示器450所指示的。虽然图4中未描绘，但碳层455a、455b、455c也可以被形成在第一电极330和第二电极335上方。

[0083] 第一电极330与第二电极335之间的电阻可以指示光学元件305的反射率。例如，可以执行可以离线地和/或使用单独的光学元件305发生的校准阶段，以使特定电阻水平与特定厚度的碳层455a、455b、455c相关联，并且因此与光学元件305的特定反射率相关联。

[0084] 即，在本公开的实施例中，所述测量系统355被配置成执行在不同时间(例如第一时间405、第二时间410、第三时间415和第四时间420)所采取的对于反射型光学元件305的一个或更多个电特性的多次测量，以识别所述反射型光学元件305的反射率随时间的劣化。

[0085] 图5描绘根据本公开的另外的实施例的用于针对光刻设备LA的掩模版平台的光学设备中的光学元件505的横截面。图5的示例光学元件505包括与图3的光学元件305大致相同的特征，例如衬底510、多个交错的硅层515a至515d和钼层520a至520d，其中覆盖层525以及第一电极530和第二电极535位于表面540处。

[0086] 在图5的示例光学元件505中，电极555a至555f被形成在多个交错硅层515a至515d与钼层520a至520d中的每个层上。

[0087] 电极555a至555f可以由沉积过程、光刻过程、印制或其它已知手段来形成。

[0088] 在使用中，测量系统，例如图3的示例的所述测量系统355可以被配置成测量所述光学元件505的每个交错硅层515a至515d和钼层520a至520d的一个或更多个电特性。即，这种测量系统可以被配置成确定第一电极530与第二电极535之间、和/或交错硅层515a至515d与钼层520a至520d中的任一个或全部之间的所述反射型光学元件505的电容、电阻或电感中的任一个或全部。在一些示例中，这样的测量系统可以被配置成测量第一电极530与第二电极535之间和/或交错硅层515a至515d与钼层520a至520d中的任一个或全部之间的所述反射型光学元件505的频率响应和/或脉冲响应。

[0089] 此外，虽然仅单个电极555a至555f在图5的示例中被形成在每个层中，但在其它实施例中，多于单个电极可以形成在每个层上。如此，在示例实施例中，所配置的测量系统可以被配置成测量光学元件505的每个层上至少两个电极之间的一个或更多个电特性。

[0090] 现转而参考图6，描绘根据本公开的实施例的用于光刻设备LA的掩模版平台(例如支撑结构MT)的光学设备600的横截面。所述光学设备600共享与图3的光学设备300相同的特征中的许多特征，并且因此为了简洁目的这样的特征并未较详细描述。例如，所述光学设备600也包括由衬底610形成的光学元件605、多个交错硅层615a至615d和钼层620a至620d、以及覆盖层625。第一电极630和第二电极635位于表面640处。

[0091] 也描绘测量系统655。所述测量系统655被配置成测量所述第一电极630与所述第二电极635之间的反射型光学元件605的一个或更多个电特性。即，所述测量系统655导电地联接至所述第一电极630和所述第二电极635。

[0092] 与所述光学设备300相反，位于光学元件605的表面640处的第一电极630和第二电极635延伸穿过多个层，例如延伸穿过多个交错的硅层615a至615d和钼层620a至620d。

[0093] 在图6的示例中，第一电极630和第二电极635被嵌入衬底610内。在其它示例中，第一电极630和第二电极635可以被形成在衬底610上。

[0094] 第一电极630和第二电极635可以由沉积过程、光刻过程、印制或其它已知手段来形成。在示例制造方法中，第一电极630和第二电极635被形成在衬底610上，并且多个交错硅层615a至615d和钼层620a至620d和覆盖层625由已知薄膜沉积过程随后形成在衬底610上。

[0095] 现在参考图7来描述所述光学设备600的操作，图7描绘了图6的光学设备600的一系列横截面，从而示出光学元件605的反射率的劣化的各种模式。

[0096] 第一横截面700a描绘反射率的任一劣化已发生之前的光学设备600。

[0097] 第二横截面700b描绘光学设备600，其中，至少所述覆盖层625已经历某一程度的氧化(使用氧分子705的图形表示来描绘)。在一些示例中，例如在第二横截面700b中，多个交错硅层615a至615d和钼层620a至620d的上部层也可以经历氧化。

[0098] 这样的氧化可能导致氧化涂层形成在表面640上和/或多个交错硅层615a至615d和钼层620a至620d内和/或之间。氧化物的形成可以使光学元件605的反射率劣化。

[0099] 有利地，通过使第一电极630和第二电极635延伸穿过多个层，所述层中的任一个处或之间的氧化的效应可以通过对第一电极630与第二电极635之间的光学元件605的电特性的改变的检测来检测。

[0100] 第三横截面700c描绘光学设备600，在光学设备600中，碳层710已形成在表面640处，如上文参考图4所描述的。所述碳层710可以使所述光学元件605的反射率劣化。

[0101] 有利地，通过使第一电极630和第二电极635延伸至多个层的表面640中，所述表面处的碳生长的效应可以通过对第一电极630与第二电极635之间的光学元件605的电特性的改变来检测，例如通过由于由碳层710所形成的导电路径的电阻降低来检测。

[0102] 第四横截面700d描绘光学设备600，其中，层之间的热相互扩散715已发生。即，由于曝光至相对高的温度，钼和硅可能已分别扩散至硅和钼层的相对层中，从而潜在地影响光学元件605作为布拉格(Bragg)反射器进行操作的有效性。

[0103] 有利地，通过使第一电极630和第二电极635延伸穿过多个层，所述层之间的热相互扩散的效应可以通过对第一电极630与第二电极635之间的光学元件605的电特性的改变的检测来检测。

[0104] 虽然氧化、热相互扩散和碳生长在单独的横截面700b、700c、700d中被描绘，但应了解，这些效应的任何组合可能发生。然而，也应注意，在实际EUV光刻设备中，至少部分由于碳层有效地保护光学元件免受进一步氧化影响，碳生长可以是所述光学元件605的反射率劣化的主导贡献因素。

[0105] 虽然图6和图7的示例描绘仅第一电极630和第二电极635，但在其它示例中，可以实施多于两个电极。例如，图8描绘包括十一个电极805a至805k的根据本公开的另外的实施例的用于光刻设备的掩模版平台的光学设备800的横截面。应理解，实际上可以实施少于或多于十一个的电极。

[0106] 也描绘多次测量系统810a至810j。每个电极805a至805k被连接至所述多次测量系统810a至810j的相应的测量系统。在示例中，一对电极被联接至每个测量系统。例如：第一电极805a和第二电极805b被联接至第一测量系统810a；第二电极805b和第三电极805c被联接至第二测量系统810b等。如此，所述测量系统810a至810j可以被配置成至少部分基于对于电极805a至805k中的每个电极之间的一个或更多个电特性的测量结果来确定光学元件的反射率分布。

[0107] 虽然始终参考“测量系统”，但应理解，多个这样的测量系统在某些情况下可以被统称为测量系统。

[0108] 虽然每个电极805a至805k延伸穿过光学设备800的光学元件的多个层，但在其它实施例中，电极中的一个或更多个可以被形成在光学元件的表面处，例如，如图3和图4的实施例中描绘的。

[0109] 有利地，所述测量系统810a至810j可以被配置成至少部分基于电极805a至805k之间的所述一个或更多个电特性的测量结果来确定所述反射型光学元件的反射率分布，如下文参考图10更详细地描述的。

[0110] 图9描绘具有光学元件905的光学设备900的表示是以平面图描绘的。也描绘被联接至测量系统955的第一电极930和第二电极935。

[0111] 在图9的示例中，所述测量系统900可以被配置成测量两个电极930、935之间的光学元件905的一个或更多个电特性。

[0112] 电极930、935被定位在光学元件905的表面的周边周围。光学元件905具有大致细长形状，并且电极930、935位于相对端部处。一个或两个电极930、935可以被形成在光学元件905的表面上，例如，如在图3和图4的实施例中所描绘的，或可以延伸穿过光学元件905，例如如图6、图7和图8的实施例中所描绘的。

[0113] 图10描绘光学设备1000的另一表示，所述光学设备具有围绕光学元件的周边分布的多个电极1030a至1030m。光学元件1005也以平面图描绘。

[0114] 所述多个电极1030a至1030m被联接至相应的测量系统1055a至1055i。在特定示例中，多对电极1030a至1030m被联接至相应的测量系统1055a至1055i。例如：第一电极1030a和第二电极1030b被联接至第一测量系统1055a；第二电极1030b和第三电极1030c被联接至第二测量系统1055b等。测量系统1055a至1055j可以被配置成测量相应的数对电极1030a至1030m之间的光学元件1005的一个或更多个电特性。

[0115] 在示例中，所述光学元件的相对端部处的电极，例如电极1030k和1030m被联接至测量系统1055i。

[0116] 电极1030a至1030m被分布在光学元件1005的表面的周边周围。电极1030a至1030m中的一个或更多个电极可以被形成在光学元件1005的表面上，例如如图3和图4的实施例中描绘的，或可以延伸穿过光学元件1005，例如如图6、图7和图8的实施例中描绘的。

[0117] 有益地，电极的这样的分布使得光学元件的电特性的分布能够被确定，其中，电特性的分布可以对应于反射方式的分布。这可以是有利的，这是因为例如碳层的沉积跨越光学元件的整个表面可能不是均一的，并且因而光学元件的反射方式在光学元件的不同区中可以是不同的。

[0118] 所披露的光学设备300的操作进一步再次参考图1的光刻系统来描述，所述光刻系统包括光刻设备LA和辐射源SO。如上文所描述的，图1也描绘光学设备300的被嵌入在掩模版平台(例如支撑结构MT)或被安装在掩模版平台上的光学元件305，以及衬底台WT处的传感器395。光学元件305可以被用于使辐射反射朝向传感器395。

[0119] 在一些示例中，所述光刻系统可以包括另外的系统390。另外的系统390可以是能够被配置成校正或减小非均一性(例如强度非均一性)、在本领域中称为“联通(Unicom)”的均一性校正模块，非均一性可能存在于EUV辐射束B或经图案化的EUV辐射束B'中。

[0120] 在一些示例中，所述另外的系统390可以被以能够通信的方式联接至光学设备300、600、800、900、1000的测量系统355、655、810a至810j、955、1055a至1055i。所述另外的系统390可以被配置成至少部分基于所述反射型光学元件305的所测量的一个或更多个电特性来调整EUV辐射束B或经图案化的EUV辐射束B'的强度和/或分布。

[0121] 图11描绘根据本公开的实施例的光刻设备LA的掩模版平台1100的平面图。所述掩模版平台1100的第一部分1110被用于保持掩模版，以供在光刻设备LA中图案化衬底。也示出反射型光学元件1105，所述反射型光学元件可以对应于所披露的光学元件305、505、605中的任一个。

[0122] 在使用中，被保持在所述第一部分1110上的掩模版可以被配置成朝向衬底台WT上的衬底反射EUV辐射。光学元件1105可以被配置成朝向辐射传感器(例如在一些示例中也可以位于衬底台WT处的辐射传感器395)反射辐射。

[0123] 图12描绘测量在光刻设备中具有用于曝光至辐射的表面的反射型光学元件的劣化的方法。所述方法包括在所述反射型光学元件的表面处设置至少两个电极的第一步骤1210。在一些实施例中，电极中的至少一个可以被形成在光学元件的表面上，例如，如图3和图4的实施例中所描绘的，在一些实施例中，电极中的至少一个可以延伸穿过光学元件，例如如在图6、图7和图8的实施例中所描绘的。

[0124] 所述方法包括测量至少两个电极之间的反射型光学元件的一个或更多个电特性的第二步骤1220。所述一个或更多个电特性可以包括以下各项中的任一个：电容；电阻；电感；和/或频率响应。

[0125] 所述方法可以包括至少部分基于对于电极之间的一个或更多个电特性的测量结果来确定反射型光学元件的反射率分布。此外，在一些示例中，所述方法可以包括通过比较在不同时间所采取的一个或更多个电特性的多次测量来识别所述反射型光学元件的劣化。

[0126] 有利地，因为电特性的确定可能不影响所述光学元件的光学性能，则可以在所述光刻设备的运行时间期间执行测量至少两个电极之间的反射型光学元件的所述一个或更多个电特性的步骤。

[0127] 虽然可以在本文中具体地参考光刻设备在IC制造中的使用，但应理解，本文中所描述的光刻设备可以具有其它应用。可能的其它应用包括制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。

[0128] 虽然可以在本文中在光刻设备的情境下具体地参考本发明的实施例，但本发明的实施例可以用于其它设备中。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备或者测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置)之类的对象的任何设备的部分。这些设备通常可以被称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空情况或环境(非真空)情况。

[0129] 虽然上文可能已经具体地参考在光学光刻术的情境下对本发明的实施例的使用，但应了解，在情境允许的情况下，本发明不限于光学光刻术，并且可以用于其它应用(例如，压印光刻术)中。

[0130] 虽然上文已描述本发明的特定实施例，但应了解，可以以与所描述的方式不同的其它方式来实践本发明。以上描述旨在是说明性的，而不是限制性的。由此，本领域技术人员将明白，可以在不背离下文所阐述的权利要求的范围的情况下对所描述的本发明进行修改。

[0131] 在以下经编号的方面中阐述本发明的其它方面。

[0132] 1.一种用于光刻设备的掩模版平台的光学设备，所述光学设备包括：

[0133] 反射型光学元件，所述反射型光学元件包括用于曝光至辐射的表面；

[0134] 至少两个电极，所述至少两个电极位于所述表面处；以及

[0135] 测量系统，所述测量系统被配置成测量所述反射型光学元件在所述至少两个电极之间的一个或更多个电特性。

[0136] 2.根据任一前述方面所述的光学设备，其中，所述一个或更多个电特性包括以下各项中的至少一种：电容；电阻；电感；和/或频率响应。

[0137] 3.根据方面1或2所述的光学设备，其中，所述反射型光学元件包括多个层，并且所述至少两个电极延伸穿过所述多个层。

[0138] 4.根据方面3所述的光学设备，其中，所述反射型光学元件被配置成用于反射极紫外(EUV)辐射的分布式布拉格反射器。

[0139] 5.根据方面3或4所述的光学设备，包括被形成在所述反射型光学元件的每个层上的至少一个电极，并且其中，所述测量系统被配置成测量所述反射型光学元件的每个层的一个或更多个电特性。

[0140] 6.根据任一前述方面所述的光学设备，其中，所述测量系统被配置成执行在不同时间所采取的对于所述反射型光学元件的所述一个或更多个电特性的多次测量，以识别所述反射型光学元件的反射率的劣化。

[0141] 7.根据任一前述方面所述的光学设备，包括多于两个电极，其中，所述测量系统被配置成测量所述反射型光学元件在所述多个电极中的多对电极之间的所述一个或更多个电特性。

[0142] 8.根据方面7所述的光学设备，其中，所述多于两个电极围绕所述表面的周边分布。

[0143] 9.根据方面7所述的光学设备，包括多次测量系统，其中，每个电极被连接至所述多次测量系统中的相应的测量系统。

[0144] 10.根据方面7至9中任一项所述的光学设备，其中，所述测量系统被配置成至少部分基于对于在所述多于两个电极之间的所述一个或更多个电特性的测量结果来确定所述反射型光学元件的反射率分布。

[0145] 11.一种光刻设备，包括根据任一前述方面所述的光学设备。

[0146] 12.根据方面11所述的光刻设备，包括用于保持掩模版的所述掩模版平台，其中，所述反射型光学元件被安装在所述掩模版平台上或嵌入在所述掩模版平台中且被配置成朝向辐射传感器反射所述辐射。

[0147] 13.一种光刻系统，包括EUV辐射源和根据方面11或12所述的光刻设备。

[0148] 14.根据方面13所述的光刻系统，包括以通信方式联接至所述测量系统的另外的系统，其中，所述另外的系统被配置成至少部分基于所述反射型光学元件的所测量的所述一个或更多个电特性来调整用于曝光衬底的辐射束的强度和/或分布。

[0149] 15.一种测量光刻设备中的具有用于曝光至辐射的表面的反射型光学元件的劣化的方法，所述方法包括：

[0150] 在所述反射型光学元件的所述表面处设置至少两个电极；和

[0151] 测量所述反射型光学元件在所述至少两个电极之间的一个或更多个电特性。

[0152] 16.根据方面15所述的方法，其中：

[0153] 在所述反射型光学元件的所述表面处设置多于两个电极；和

[0154] 至少部分基于对于在所述多于两个电极之间的所述一个或更多个电特性的测量结果来确定所述反射型光学元件的反射率分布。

[0155] 17.根据方面15或16所述的方法，其中，通过比较在不同时间所采取的对于所述一个或更多个电特性的多次测量来识别所述反射型光学元件的劣化。

[0156] 18.根据方面15至17中任一项所述的方法，其中，在所述光刻设备的运行时间期间执行测量所述反射型光学元件在所述至少两个电极之间的一个或更多个电特性的步骤。